5N50BD是一款高压大功率NPN型双极性晶体管,主要用于开关和放大电路中。该晶体管采用TO-247封装形式,具备较高的电流和电压承受能力,广泛应用于工业控制、电源管理以及各类电子设备中。
这款晶体管具有较低的饱和压降和较高的增益特性,能够在高频和高功率条件下保持稳定性能。同时,其散热性能优越,适合长时间连续运行。
集电极-发射极击穿电压:800V
集电极最大电流:8A
最大耗散功率:160W
直流电流增益(hFE):30-100
集电极-发射极饱和电压:3V
存储温度范围:-55℃至175℃
5N50BD晶体管以其出色的电气性能和可靠性著称。
1. 高耐压能力:高达800V的击穿电压使其适用于高压应用场景。
2. 大电流承载能力:能够处理高达8A的集电极电流,满足高功率需求。
3. 低饱和压降:在饱和状态下,其集电极-发射极电压仅为3V左右,有助于减少功耗。
4. 宽温度范围:可以在极端温度环境下工作,适应性强。
5. 稳定性:即使在高频和高功率条件下,也能保持良好的稳定性,非常适合工业应用。
5N50BD晶体管适用于多种场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 工业控制设备中的驱动器和放大器。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 高频逆变器中的关键组件。
5. 各类需要高电压和大电流处理能力的电子设备。
5N50B, 5N50C, 5N50D