时间：2025/9/22 16:48:00
阅读：5
2SK2048-01L,S 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用设计，尤其适用于电视、显示器等设备中的背光逆变器和电源转换电路。该器件采用小型SIP7封装，具有较高的耐压能力和良好的热稳定性，适合在紧凑型高密度电路板上使用。其主要优势在于具备优异的开关特性与较低的导通电阻，在高频工作条件下仍能保持较高的效率和较低的功耗。此外，该MOSFET内部结构经过优化，增强了抗雪崩能力，提升了在瞬态高压环境下的可靠性。2SK2048-01L,S 常用于冷阴极荧光灯（CCFL）逆变器中作为主开关元件，驱动灯管实现亮度调节。由于其高度集成化的设计，外部所需辅助元件较少，有助于简化电路设计并提高整体系统可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环保与安全性的要求。
型号：2SK2048-01L,S
制造商：Toshiba
封装类型：SIP7
晶体管极性：N沟道
漏源电压Vds：800 V
连续漏极电流Id：0.3 A
脉冲漏极电流Idm：1.2 A
栅源电压Vgs：±30 V
导通电阻Rds(on)：典型值6.5 Ω（Vgs = 10 V）
栅极阈值电压Vth：典型值4.0 V
输入电容Ciss：典型值35 pF（Vds = 25 V, f = 1 MHz）
输出电容Coss：典型值10 pF
反向传输电容Crss：典型值0.8 pF
最大功耗Pd：2 W
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
2SK2048-01L,S 具备出色的高压开关性能，能够在高达800V的漏源电压下稳定工作，适用于高压小电流应用场景。其低导通电阻特性有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其是在高频逆变电路中表现突出。该器件的输入电容较小，使得驱动电路所需的驱动功率较低，有利于减小驱动IC的负担，并提升系统的响应速度。同时，较低的输出电容和反向传输电容显著减少了开关过程中的能量损失，从而降低温升，增强长期运行的可靠性。
该MOSFET采用了先进的平面硅技术制造，确保了器件参数的一致性和批次稳定性。其栅极结构经过特别优化，能够承受较高的栅源电压（±30V），具备较强的抗干扰能力，避免因电压波动导致误触发或损坏。此外，器件具备良好的热阻特性，结合SIP7封装的散热设计，可在有限空间内实现有效的热量传导，防止局部过热引发失效。
2SK2048-01L,S 还具备较强的抗雪崩击穿能力，能在突发高压或感性负载断开时吸收一定的能量而不发生永久性损坏，这对于保护整个电源系统至关重要。其快速开关响应时间使其非常适合用于频率在数十kHz到数百kHz范围内的开关电源和DC-AC逆变器中。总体而言，这款MOSFET以其高耐压、小尺寸、高可靠性和优良的动态特性，成为许多消费类电子高压电源模块中的关键组件。
主要用于液晶显示器（LCD）和电视中的冷阴极荧光灯（CCFL）背光逆变器电路，作为主开关器件驱动灯管工作；也广泛应用于小型开关电源（SMPS）、高压直流转换器、电子镇流器以及其他需要高压N沟道MOSFET的小功率高频开关电路中；适用于需要高电压隔离和高效能转换的工业控制设备和家用电器电源模块。
2SK2047-01L,S
