时间：2025/9/12 13:46:38
阅读：16
PG05BAUSM-RTK/P 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用增强型技术，适用于高频率和高效能的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等场合。PG05BAUSM-RTK/P 采用紧凑型封装设计，便于在高密度电路板上安装，同时具备良好的热管理和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：60V
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：12nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
PG05BAUSM-RTK/P 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。在高电流应用中，这种低电阻特性尤为重要，因为它可以减少发热并提高整体性能。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保长时间运行的可靠性。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，从而提升了器件的耐压能力。在60V的漏源电压下，PG05BAUSM-RTK/P 能够稳定工作，适用于多种中压功率应用。
PowerFLAT 5x6封装不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，适合用于空间受限的设计中。此外，该封装支持表面贴装技术（SMT），提高了生产效率和焊接可靠性。
PG05BAUSM-RTK/P 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在极端条件下保持器件的安全运行。
PG05BAUSM-RTK/P 被广泛应用于各种功率电子设备中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及电源管理模块等。其高效能和紧凑型设计使其成为汽车电子、工业控制、消费类电子产品和通信设备中的理想选择。
在汽车电子领域，PG05BAUSM-RTK/P 可用于车载充电器、LED照明驱动、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统（IVI）中的电源管理单元。
在工业自动化中，该MOSFET可用于PLC（可编程逻辑控制器）的输出模块、伺服电机驱动器和工业电源设备，提供高效、稳定的功率控制。
消费电子产品如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，PG05BAUSM-RTK/P 可作为高效能电源开关或DC-DC转换器的核心元件，提升能效并延长电池寿命。
在通信设备中，该器件适用于基站电源模块、网络交换设备和光模块中的电源管理电路，确保稳定可靠的运行。
STP55NF06L, FDPF5N60, IRFZ44N
