ES45P4N3-B 时间：2025/5/9 16:47:12 阅读：9

ES45P4N3-B 是一款高性能的 N 治金场效应晶体管（NMOS），适用于多种功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。
　　该 NMOS 器件通过优化栅极驱动设计，可显著降低传导损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。同时，其紧凑的封装形式也使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：28A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　开关时间：ton=12ns, toff=18ns
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

ES45P4N3-B 的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗，从而提高能效；具备快速开关能力，支持高频操作，有助于减小无源元件尺寸并提升功率密度；拥有强大的雪崩能力和高可靠性，适合严苛的工作环境；采用行业标准的 TO-263 封装，便于安装和散热管理。
　　此外，这款 NMOS 器件还具有低输入电容和输出电容，进一步提升了动态性能，并简化了驱动电路设计。这些特点共同确保了 ES45P4N3-B 在各种应用中表现出色，特别是在需要高效功率传输和快速响应的场合。

应用

ES45P4N3-B 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池管理系统、太阳能逆变器以及其他需要高性能功率开关的领域。由于其优秀的热特性和大电流承载能力，它特别适合于要求严格的大功率应用场景。
　　在消费类电子产品中，该器件可用于笔记本电脑适配器、平板电视电源以及智能手机快充模块等产品。而在工业领域，它可以作为伺服控制器、不间断电源（UPS）和焊接设备中的关键组件。另外，在汽车电子方面，ES45P4N3-B 还能满足车载充电器、电动助力转向系统及混合动力汽车动力总成的需求。