时间：2025/5/28 12:30:30
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SRT30L120FCT 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特性，适合用于 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场景。
该器件由国际知名半导体厂商生产，广泛应用于工业和消费类电子领域。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：30A
导通电阻：8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：35nC（典型值）
反向恢复时间：7ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
SRT30L120FCT 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功耗并提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 采用 TO-263 封装，具备良好的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子设备的设计要求。
6. 支持宽范围的工作温度，适应各种恶劣环境。
该器件适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 通信电源和分布式电源系统中的 DC-DC 转换。
5. 各种需要大电流、高压工作的功率管理模块。
SRT30L120FCT 的高性能使其成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
SRT30L120GC, IRF3205, FDP150N10SMD
