型号：PCD0301MT101
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装/包装：SMA（DO-214AC）
　　通道数：单通道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-2.6A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8A
　　导通电阻RDS(on)：-85mΩ（@VGS=-10V）
　　导通电阻RDS(on)：-110mΩ（@VGS=-4.5V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：400pF（@VDS=15V）
　　输出电容（Coss）：120pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：29ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装
　　功耗（PD）：1W（@TA=25°C）

PCD0301MT101采用Vishay先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其P沟道结构使得在高边开关或负载开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现简单驱动，降低了系统复杂性和成本。该器件在VGS=-10V时的典型RDS(on)仅为85mΩ，在VGS=-4.5V时也仅为110mΩ，表明其具备出色的低电压驱动能力，特别适用于由3.3V或5V逻辑信号直接控制的应用场景。这种低RDS(on)特性显著减少了导通损耗，提高了电源转换效率，并有助于降低温升，延长产品寿命。
　　TrenchFET工艺通过垂直沟道结构优化了载流子流动路径，提升了单位面积下的电流承载能力，同时减小了芯片尺寸，从而在小型SMA封装内实现了高性能表现。该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss=400pF）和输出电容（Coss=120pF），有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度，适用于高频开关电源和快速响应控制系统。此外，其反向恢复时间trr为29ns，体二极管具备较快的恢复特性，可有效减少在感性负载切换过程中的能量损耗和电压尖峰问题。
　　PCD0301MT101的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行，适用于工业控制、汽车电子及便携式设备等多种应用场景。其SMA封装便于自动化贴片生产，且具备良好的散热性能，尤其在合理设计的PCB布局下可通过焊盘散热实现更高的功率处理能力。该器件符合RoHS指令要求，无铅且绿色环保，满足现代电子产品对环保法规的严格要求。综合来看，PCD0301MT101是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，适用于多种中低功率电源管理与开关控制应用。

PCD0301MT101广泛应用于各类需要高效、紧凑型电源开关解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式电池供电设备中的电源开关和负载管理，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和移动电源等，利用其低导通电阻和逻辑电平驱动特性，能够有效延长电池续航时间并简化控制电路设计。在DC-DC转换器拓扑中，该器件可用作同步整流器或高边开关，特别是在降压（Buck）转换器中作为上管使用，凭借其快速开关能力和低损耗特性提升整体转换效率。
　　此外，PCD0301MT101也适用于电机驱动电路，用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，尤其适合玩具、家电和小型机器人等消费类电子产品。在工业控制系统中，它可用于继电器替代方案、固态开关、LED驱动电路以及各种数字I/O接口的功率驱动级，提供比机械开关更长的寿命和更高的可靠性。
　　由于其具备良好的温度稳定性与抗干扰能力，该器件也可用于汽车电子系统中的辅助电源管理模块，如车灯控制、传感器供电切换和车载充电器等应用。其表面贴装封装形式便于大规模自动化生产，适用于回流焊工艺，适合现代高密度PCB设计需求。总之，PCD0301MT101凭借其小巧体积、高效性能和广泛的适用性，成为众多低电压、中等电流开关应用的理想选择。

Si3463EDV-T1-GE3
　　AO3401A
　　FDD8858