时间：2025/12/24 4:56:08
阅读：13
KIA7N80BTH是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其主要应用包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率管理电路。KIA7N80BTH的封装形式为TO-220，便于散热和安装。
这款MOSFET的耐压值高达800V，使其非常适合高压环境下的应用。同时，它的漏源极导通电阻较低，在大电流条件下能够有效减少功耗，提高系统效率。
最大漏源电压：800V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：7A
脉冲漏极电流：35A
导通电阻：1.4Ω
栅极电荷：45nC
输入电容：1200pF
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，支持高达800V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻设计，有助于降低功耗并提升效率。
3. 快速开关特性，适合高频操作环境。
4. 具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. TO-220标准封装，易于集成到现有设计中，并提供高效的散热路径。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各种工业设备中的负载切换功能。
5. LED驱动器中的关键功率器件。
6. 其他需要高压、大电流处理能力的电力电子应用。
IRF840, STP7NK80Z, FQP17N80
