21CH6R0D50AT 是一种多层陶瓷电容器(MLCC),具有高精度和高稳定性,适用于高要求的电子电路应用。这款电容器的额定电容为6.0 pF,额定电压为50 V,适用于需要稳定电容值和低损耗的高频电路。
电容:6.0 pF
额定电压:50 V
容差:±0.5 pF
温度系数:CH(0 ppm/°C)
介质材料:陶瓷
封装类型:表面贴装(SMD)
尺寸:21(英制)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
21CH6R0D50AT 电容器的主要特性是其优异的温度稳定性,采用CH温度系数陶瓷介质,确保在-55°C到+125°C的工作温度范围内电容值变化极小。这种电容器还具有低损耗因子,使其在高频应用中表现出色,适用于射频(RF)电路和精密滤波器设计。由于其±0.5 pF的严格容差,21CH6R0D50AT 能够在需要高精度的电路中提供一致的性能。此外,该器件采用表面贴装封装,便于自动化生产并节省PCB空间。
这款电容器的设计使其在各种环境条件下都具有出色的可靠性,特别是在高温和高湿环境中。其陶瓷介质具有优异的绝缘性能,能够承受高电压应力而不发生击穿。此外,21CH6R0D50AT 的结构设计减少了电容器在机械应力下的电容变化,提高了其在振动和冲击环境中的稳定性。由于其优异的电气和机械性能,该电容器广泛应用于通信设备、测试仪器、医疗设备和工业控制系统等领域。
21CH6R0D50AT 陶瓷电容器通常用于需要稳定电容值和低损耗的高频电路,如射频(RF)放大器、振荡器和滤波器。它也常用于精密模拟电路、高速数字电路以及需要高可靠性的工业和通信设备中。此外,该电容器适用于电源去耦和信号耦合应用,确保电路的稳定性和性能。
VJ21CH6R0D50AT, C21CH6R0D50A