SRK7002DW1T1G 时间：2025/8/13 23:24:44 阅读：32

SRK7002DW1T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于需要高效能开关操作的应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻和高可靠性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：4A（单个通道）
　　功耗(PD)：2W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSOP（6引脚）
　　导通电阻(RDS(on))：最大值为85mΩ（在VGS=4.5V）

特性

SRK7002DW1T1G 具有低导通电阻特性，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的Trench MOSFET技术，提供更高的性能和稳定性，适用于高频率开关应用。
　　其双N沟道设计使得在一个封装中集成了两个独立的MOSFET，节省了PCB空间并简化了电路设计。
　　该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，适用于严苛的工作环境。
　　此外，SRK7002DW1T1G采用TSOP封装，具有良好的散热性能，能够有效降低工作温度，延长器件使用寿命。
　　其栅极驱动电压范围宽，支持3.3V至12V的控制信号，兼容多种控制器和驱动电路。

应用

SRK7002DW1T1G 常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机控制、电源管理和电池供电设备等应用中。
　　在便携式电子产品中，该器件可以作为高效能开关，提升电池续航能力。
　　在工业自动化和控制系统中，SRK7002DW1T1G用于控制电机、继电器和其他负载设备的通断操作。
　　此外，它还可用于LED照明驱动、电源分配系统和智能电源插座等应用，提供高效的电力控制方案。
　　其高可靠性和紧凑封装使其成为汽车电子系统中的理想选择，如车载充电器、电动助力转向系统和车载娱乐系统等。