SRK7002DW1T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于需要高效能开关操作的应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术,提供低导通电阻和高可靠性,适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
连续漏极电流(ID):4A(单个通道)
功耗(PD):2W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TSOP(6引脚)
导通电阻(RDS(on)):最大值为85mΩ(在VGS=4.5V)
SRK7002DW1T1G 具有低导通电阻特性,使其在导通状态下能够减少功率损耗,提高系统效率。
该器件采用先进的Trench MOSFET技术,提供更高的性能和稳定性,适用于高频率开关应用。
其双N沟道设计使得在一个封装中集成了两个独立的MOSFET,节省了PCB空间并简化了电路设计。
该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性,适用于严苛的工作环境。
此外,SRK7002DW1T1G采用TSOP封装,具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,延长器件使用寿命。
其栅极驱动电压范围宽,支持3.3V至12V的控制信号,兼容多种控制器和驱动电路。
SRK7002DW1T1G 常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电机控制、电源管理和电池供电设备等应用中。
在便携式电子产品中,该器件可以作为高效能开关,提升电池续航能力。
在工业自动化和控制系统中,SRK7002DW1T1G用于控制电机、继电器和其他负载设备的通断操作。
此外,它还可用于LED照明驱动、电源分配系统和智能电源插座等应用,提供高效的电力控制方案。
其高可靠性和紧凑封装使其成为汽车电子系统中的理想选择,如车载充电器、电动助力转向系统和车载娱乐系统等。
Si3442DV-T1-E3, FDMS86180, BSS138K, 2N7002KW, FDN340P