时间：2025/9/6 23:16:02
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HZU12B2T是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电路保护应用。该器件具备稳定的击穿电压特性，能够在反向击穿区域工作而不受损坏，适用于需要稳定参考电压的电子电路中。
类型：齐纳二极管
功率：200mW
齐纳电压：12V
容差：±2%
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-323
最大反向电流：50mA
HZU12B2T齐纳二极管具有低动态阻抗和快速响应时间的特性，使其在电压调节应用中表现出色。其±2%的电压容差确保了在关键应用中电压的精确控制。该器件的SOD-323小型封装使其适用于空间受限的PCB设计。
此外，HZU12B2T具有良好的温度稳定性和长期可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。其最大反向电流为50mA，适合低功耗设计，同时保证了在过压条件下能够有效地保护后级电路。
由于其低漏电流和快速响应时间，HZU12B2T也常用于信号线路的瞬态电压抑制（TVS）保护，提供可靠的电路安全防护。
HZU12B2T广泛应用于各种电子设备中，如消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子、通信设备和电源管理系统。其主要用途包括作为参考电压源、电压调节器、过压保护电路以及信号线路的瞬态抑制器。
在汽车电子系统中，HZU12B2T可用于保护敏感的ECU（电子控制单元）电路免受瞬态电压冲击的影响。在通信设备中，它常用于保护数据线路免受静电放电（ESD）和浪涌电压的损害。此外，在便携式电子产品中，该器件可以作为低功耗电压参考源，用于ADC（模数转换器）或比较器电路。
HZU12B2T-A、HZU12B2T-L、HZU12B2TK
