您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MMBTA14LT1

MMBTA14LT1 发布时间 时间:2025/8/11 18:27:05 查看 阅读:23

MMBTA14LT1是一款由ON Semiconductor生产的NPN型晶体管,广泛用于通用开关和放大应用。这款晶体管采用SOT-23封装,适合高密度PCB设计。MMBTA14LT1的设计使其能够在相对较高的电压和电流条件下工作,是一款经济高效的解决方案。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vce):100V
  集电极-基极电压(Vcb):100V
  发射极-基极电压(Veb):5V
  集电极电流(Ic):100mA
  功耗(Pd):300mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  存储温度范围:-55°C至150°C

特性

MMBTA14LT1具有高电压能力和良好的电流增益特性,适用于多种电子设备。该晶体管的增益带宽积较高,使其在高频应用中表现出色。此外,其低饱和电压和快速开关特性使其在数字电路中表现优异。
  该器件的SOT-23封装不仅节省空间,还提供了良好的热性能,确保在高电流操作下的可靠性。MMBTA14LT1的制造工艺符合行业标准,确保了其在各种工作条件下的稳定性和耐用性。

应用

MMBTA14LT1广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域。具体应用包括开关电源、信号放大、继电器驱动、LED驱动以及各种低功率电子设备的设计。由于其高可靠性和多功能性,它也常用于测试设备和自动化系统中。

替代型号

MMBTA44LT1, PN2222A, 2N3904

MMBTA14LT1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MMBTA14LT1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

MMBTA14LT1参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)300mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 100µA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20000 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 频率 - 转换125MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装剪切带 (CT)
  • 其它名称MMBTA14LT1OSCT