时间：2025/7/1 10:38:54
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SQS164ELNW是一款高性能的CMOS静态随机存取存储器（SRAM），采用先进的制造工艺，具有低功耗和高速度的特点。它广泛应用于需要快速数据访问和可靠性的电子设备中，例如网络通信设备、工业控制以及消费类电子产品。
该芯片内部结构设计紧凑，具备出色的稳定性和抗干扰能力，确保在各种工作环境下都能正常运行。
容量：64K x 8位
电源电压：2.7V 至 3.6V
工作电流：10mA（典型值）
待机电流：1μA（最大值）
访问时间：55ns（最大值）
封装形式：TSSOP-48
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
I/O电压：2.7V 至 3.6V
SQS164ELNW具备以下显著特性：
1. 高速读写性能，访问时间短，适合对实时性要求较高的应用场合。
2. 超低功耗设计，有助于延长电池供电设备的续航时间。
3. 内置硬件写保护功能，可有效防止数据意外丢失。
4. 支持多种总线接口模式，便于与不同类型的微控制器或处理器连接。
5. 宽工作电压范围，兼容不同的系统电源需求。
6. 工业级温度范围，适应恶劣的工作环境。
SQS164ELNW适用于以下应用场景：
1. 网络路由器和交换机中的缓存存储。
2. 嵌入式系统的临时数据缓冲。
3. 工业自动化控制中的配置参数保存。
4. 消费类电子产品的用户界面缓存。
5. 医疗设备中的关键数据暂存。
6. 任何需要高可靠性、低延迟存储解决方案的领域。
CY62164EV30, AS6C164, IS61C256AL
