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19-237B/R6GHBHC-C01/2T 发布时间 时间:2025/6/16 17:02:12 查看 阅读:4

19-237B/R6GHBHC-C01/2T 是一款高性能的功率晶体管,适用于高频开关和功率放大等场景。该器件采用了先进的半导体工艺技术,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其封装设计优化了散热性能,适合工业、通信及消费类电子设备中的多种应用。

参数

型号:19-237B/R6GHBHC-C01/2T
  最大集电极电流:15A
  最大集电极-发射极电压:800V
  最大耗散功率:200W
  结温范围:-55℃ 至 175℃
  存储温度范围:-65℃ 至 150℃
  封装形式:TO-247

特性

19-237B/R6GHBHC-C01/2T 具有高耐压能力、低导通电阻和快速开关速度的特点。
  它采用了改进的芯片结构设计,有效降低了寄生电感和电容对高频性能的影响。
  同时,器件的热阻较低,能够显著提升散热效率,在高温环境下依然保持可靠运行。
  此外,其封装形式具有良好的机械强度和电气隔离性能,非常适合在恶劣环境下的使用。

应用

该功率晶体管广泛应用于开关电源(SMPS)、逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)以及各类功率转换电路中。
  由于其高电压和大电流处理能力,也常用于工业控制设备、通信基站电源和新能源相关领域,例如太阳能逆变器和电动汽车充电模块等。

替代型号

19-237B/R6GHBHC-C01/2T-A, 19-237B/R6GHBHC-C01/2T-B

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