时间：2025/4/1 9:56:36
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BR24G256-3AE2是一款高性能、低功耗的串行铁电随机存取存储器（FRAM），由 Ramtron International Corporation（现已被 Cypress Semiconductor 收购）生产。该器件采用铁电工艺技术，提供非易失性数据存储功能，具有快速写入、高耐久性和低功耗的特点。它适用于需要频繁数据记录和可靠存储的应用场景。
容量：256Kb
接口类型：I2C
工作电压：1.7V 至 3.6V
最大时钟频率：400kHz
数据保持时间：超过10年
擦写次数：10^12次
封装形式：8-SOIC
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
1. 非易失性存储：即使在断电情况下，数据也不会丢失。
2. 快速写入：无需等待写入周期，支持即时数据保存。
3. 超高耐久性：可承受高达10^12次的擦写操作，适合频繁写入的应用。
4. 低功耗：在待机和活动模式下均表现出极低的功耗，延长电池寿命。
5. 简单的 I2C 接口：便于与微控制器或其他设备集成。
6. 小型封装：8引脚 SOIC 封装节省空间，适合紧凑型设计。
1. 工业控制：如数据日志记录、配置参数存储等。
2. 医疗设备：用于存储关键患者数据或设备设置。
3. 消费电子产品：例如数码相机中的图像参数存储。
4. 计量仪表：如智能电表、水表中的数据记录。
5. 通信设备：用于网络设备的状态信息保存。
6. 汽车电子：如事件数据记录器（EDR）中存储碰撞信息。
BR24H256-3A, BR24T256-3A
