类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：12A（在25°C）
　　导通电阻(RDS(on))：最大12mΩ（在VGS=10V）
　　功率耗散(PD)：47W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

ZX5T951KTC具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。这对于高电流应用尤为重要，因为它可以减少发热并提高整体能效。
　　其次，该MOSFET的高耐压能力（30V漏源电压）使其适用于多种中低压电源转换应用，包括电池供电设备和车载电子系统。此外，±20V的栅源电压容限增强了其在复杂驱动环境中的可靠性，降低了栅极驱动电路的设计难度。
　　ZX5T951KTC采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，确保了器件在高电流下的稳定运行。其高电流承载能力（12A连续漏极电流）适合需要高功率密度的设计。同时，SOT-223封装提供了良好的散热性能，使器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。
　　此外，该器件具有优异的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。其-55°C至150°C的宽工作温度范围使其适用于工业级和汽车电子应用。

ZX5T951KTC广泛应用于多种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块）、电机驱动器以及各类工业控制电路。
　　在电源适配器、充电器和便携式电子产品中，ZX5T951KTC可用于高效能功率开关，以提高转换效率并减少发热。此外，它也可用于汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器、LED照明驱动电路以及电池保护电路。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，ZX5T951KTC还适用于需要长时间稳定运行的工业设备，如服务器电源、UPS系统和工业自动化控制器。

Si4410BDY-T1-GE3
　　IRF7413PbF
　　FDS4410A