您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SPP10N10L

SPP10N10L 发布时间 时间:2025/6/13 12:50:19 查看 阅读:7

SPP10N10L是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。这款器件非常适合于要求高效能和低损耗的应用场景,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。SPP10N10L的封装形式通常为TO-252(DPAK),能够承受较高的电流和电压,同时具备良好的热性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:10mΩ
  栅极电荷:25nC
  开关时间:ton=35ns, toff=18ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

SPP10N10L具有非常低的导通电阻,能够在大电流应用中显著降低功耗。
  该器件还拥有快速的开关速度,有助于提高系统的整体效率并减少开关损耗。
  其高雪崩能量能力增强了在恶劣环境下的可靠性。
  SPP10N10L采用了小型表面贴装封装,便于自动化生产和散热管理。
  此外,它符合RoHS标准,确保环保合规性。

应用

SPP10N10L广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
  典型应用包括笔记本电脑适配器、LED驱动器、电信设备中的电源模块以及电动工具的驱动电路。
  由于其高效率和可靠性,也适用于太阳能逆变器和不间断电源系统(UPS)。
  同时,它还可以用作各种负载开关和保护电路的核心元件。

替代型号

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP17N10
  AO3400

SPP10N10L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SPP10N10L参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SIPMOS?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)154 毫欧 @ 8.1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 21μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)444 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)50W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO220-3-1
  • 封装/外壳TO-220-3