SPP10N10L是一款N沟道功率MOSFET,采用先进的工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。这款器件非常适合于要求高效能和低损耗的应用场景,如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。SPP10N10L的封装形式通常为TO-252(DPAK),能够承受较高的电流和电压,同时具备良好的热性能。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:10A
导通电阻:10mΩ
栅极电荷:25nC
开关时间:ton=35ns, toff=18ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
SPP10N10L具有非常低的导通电阻,能够在大电流应用中显著降低功耗。
该器件还拥有快速的开关速度,有助于提高系统的整体效率并减少开关损耗。
其高雪崩能量能力增强了在恶劣环境下的可靠性。
SPP10N10L采用了小型表面贴装封装,便于自动化生产和散热管理。
此外,它符合RoHS标准,确保环保合规性。
SPP10N10L广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
典型应用包括笔记本电脑适配器、LED驱动器、电信设备中的电源模块以及电动工具的驱动电路。
由于其高效率和可靠性,也适用于太阳能逆变器和不间断电源系统(UPS)。
同时,它还可以用作各种负载开关和保护电路的核心元件。
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP17N10
AO3400