2SK2182 时间：2025/8/7 14:25:44 阅读：22

2SK2182是一种N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高频和低噪声放大应用。该器件采用先进的硅栅极工艺制造，具有高增益、低噪声系数和良好的线性特性。它通常用于通信设备、射频（RF）功率放大器以及各种电子设备中的信号放大模块。2SK2182具有高可靠性和稳定性，能够在较高的频率下工作，是许多射频和微波电路设计中的首选晶体管之一。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：25V
　　漏极-栅极电压（Vdg）：25V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±5V
　　漏极电流（Id）：最大200mA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92或类似小型封装
　　增益（Gps）：在100MHz时典型值为16dB
　　噪声系数（NF）：在100MHz时典型值为0.45dB
　　输入输出阻抗匹配：50Ω
　　工作频率范围：典型值为1GHz以下

特性

2SK2182具备多种优良特性，使其在射频和低噪声放大电路中表现出色。首先，该器件具有极低的噪声系数，能够在100MHz频率下保持0.45dB的典型噪声值，适用于高灵敏度接收机前端放大电路。其次，该晶体管具有良好的增益特性，在100MHz时增益可达16dB，且在更高频率下仍能保持较高的放大能力，适合用于UHF和VHF频段的信号放大。
　　此外，2SK2182采用小型封装设计，便于在紧凑电路板中安装，并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。其栅极电压控制范围为±5V，允许设计人员灵活调整偏置条件，以适应不同的放大需求。该器件还具备较高的输入输出阻抗匹配能力，通常为50Ω，方便与标准射频系统集成，减少额外的匹配网络设计复杂度。
　　该MOSFET的工作温度范围较宽，可在-55°C至+150°C之间正常工作，适用于工业级和军事级应用环境。其最大漏极电流为200mA，适合低功率放大器设计，如无线通信模块、射频信号发生器、CATV系统和测试测量设备中的前置放大电路。

应用

2SK2182广泛应用于射频和低噪声放大器设计中。在无线通信系统中，它常用于接收机前端放大器，以提高信号灵敏度并降低噪声干扰。该器件也常用于CATV（有线电视）放大器、VHF/UHF收发器、GPS接收机和无线局域网（WLAN）设备中的信号增强模块。
　　此外，2SK2182还可用于测试设备和频谱分析仪中的低噪声放大器，确保高精度信号采集和测量。在音频和视频传输系统中，它可用于射频调制器和解调器的放大电路，以提高信号质量和传输稳定性。由于其良好的高频特性和低噪声性能，该晶体管也被广泛用于业余无线电设备、便携式对讲机和无线传感器网络中的射频前端电路。