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FDC3601N 发布时间 时间:2025/7/22 11:19:42 查看 阅读:4

FDC3601N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的双N沟道功率MOSFET器件,广泛用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的封装技术,具备优异的热性能和电气性能,适合用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种电源管理电路。FDC3601N 采用小型化的封装形式,有助于节省PCB空间,同时提供高性能和可靠性。

参数

类型:双N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):6.2A(每个通道)
  导通电阻(RDS(on)):19mΩ @ VGS = 10V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TSOP

特性

FDC3601N 的主要特性之一是其双N沟道MOSFET结构,能够在单个封装中提供两个独立的功率开关,从而简化电路设计并提高系统集成度。该器件的低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流应用中具有较低的功率损耗,提高整体能效。
  此外,FDC3601N 具有较高的栅极电压容限(±20V),使其在各种驱动条件下都能保持稳定运行,同时降低栅极驱动电路的设计复杂度。该器件的额定漏源电压为30V,适用于多种低压功率转换系统。
  该MOSFET采用TSOP封装,具有良好的散热性能,适合在空间受限的应用中使用。其工作温度范围广泛(-55°C至+150°C),确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。FDC3601N 还具有低栅极电荷(Qg)特性,有助于减少开关损耗,提高开关速度,适用于高频开关应用。
  此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于各种消费类电子产品、工业控制系统和便携式设备中的电源管理设计。

应用

FDC3601N 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及各类便携式电子设备的电源管理模块。
  在电源管理应用中,FDC3601N 的双MOSFET结构可用于构建高效同步整流电路,显著提高转换效率。在电池供电设备中,该器件可用于控制电池充放电路径,实现高效的能量管理。
  工业控制领域中,FDC3601N 可用于驱动小型电机、继电器或LED照明系统。在通信设备中,该器件常用于电源稳压模块和信号路径控制。此外,由于其封装小巧且性能稳定,FDC3601N 也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中。

替代型号

FDMS3602、FDMS3610、SiS486DK、NDS351AN、FDC3603N

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FDC3601N参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds153pF @ 50V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装6-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDC3601N-NDFDC3601NTR