FDC3601N 时间：2025/7/22 11:19:42 阅读：4

FDC3601N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的双N沟道功率MOSFET器件，广泛用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的封装技术，具备优异的热性能和电气性能，适合用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种电源管理电路。FDC3601N 采用小型化的封装形式，有助于节省PCB空间，同时提供高性能和可靠性。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6.2A（每个通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：19mΩ @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP

特性

FDC3601N 的主要特性之一是其双N沟道MOSFET结构，能够在单个封装中提供两个独立的功率开关，从而简化电路设计并提高系统集成度。该器件的低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中具有较低的功率损耗，提高整体能效。
　　此外，FDC3601N 具有较高的栅极电压容限（±20V），使其在各种驱动条件下都能保持稳定运行，同时降低栅极驱动电路的设计复杂度。该器件的额定漏源电压为30V，适用于多种低压功率转换系统。
　　该MOSFET采用TSOP封装，具有良好的散热性能，适合在空间受限的应用中使用。其工作温度范围广泛（-55°C至+150°C），确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。FDC3601N 还具有低栅极电荷（Qg）特性，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于各种消费类电子产品、工业控制系统和便携式设备中的电源管理设计。

应用

FDC3601N 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及各类便携式电子设备的电源管理模块。
　　在电源管理应用中，FDC3601N 的双MOSFET结构可用于构建高效同步整流电路，显著提高转换效率。在电池供电设备中，该器件可用于控制电池充放电路径，实现高效的能量管理。
　　工业控制领域中，FDC3601N 可用于驱动小型电机、继电器或LED照明系统。在通信设备中，该器件常用于电源稳压模块和信号路径控制。此外，由于其封装小巧且性能稳定，FDC3601N 也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中。