FDC3601N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的双N沟道功率MOSFET器件,广泛用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的封装技术,具备优异的热性能和电气性能,适合用于负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及各种电源管理电路。FDC3601N 采用小型化的封装形式,有助于节省PCB空间,同时提供高性能和可靠性。
类型:双N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):6.2A(每个通道)
导通电阻(RDS(on)):19mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TSOP
FDC3601N 的主要特性之一是其双N沟道MOSFET结构,能够在单个封装中提供两个独立的功率开关,从而简化电路设计并提高系统集成度。该器件的低导通电阻(RDS(on))确保了在高电流应用中具有较低的功率损耗,提高整体能效。
此外,FDC3601N 具有较高的栅极电压容限(±20V),使其在各种驱动条件下都能保持稳定运行,同时降低栅极驱动电路的设计复杂度。该器件的额定漏源电压为30V,适用于多种低压功率转换系统。
该MOSFET采用TSOP封装,具有良好的散热性能,适合在空间受限的应用中使用。其工作温度范围广泛(-55°C至+150°C),确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。FDC3601N 还具有低栅极电荷(Qg)特性,有助于减少开关损耗,提高开关速度,适用于高频开关应用。
此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于各种消费类电子产品、工业控制系统和便携式设备中的电源管理设计。
FDC3601N 广泛应用于多种电源管理系统和功率转换电路中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及各类便携式电子设备的电源管理模块。
在电源管理应用中,FDC3601N 的双MOSFET结构可用于构建高效同步整流电路,显著提高转换效率。在电池供电设备中,该器件可用于控制电池充放电路径,实现高效的能量管理。
工业控制领域中,FDC3601N 可用于驱动小型电机、继电器或LED照明系统。在通信设备中,该器件常用于电源稳压模块和信号路径控制。此外,由于其封装小巧且性能稳定,FDC3601N 也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中。
FDMS3602、FDMS3610、SiS486DK、NDS351AN、FDC3603N