时间：2025/7/22 8:14:21
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VB026MSP-E 是一款由 Vishay Siliconix 制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点。VB026MSP-E 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于多种工业和消费类电子应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。其高可靠性与优异的热性能使其在要求严苛的应用场景中表现出色。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：160A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ（典型值）
功耗（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
VB026MSP-E 具备多项优异的电气和热特性，确保其在高性能电源系统中的稳定运行。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力，额定连续漏极电流高达 160A，在高功率应用中表现出色。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得开关损耗更小，适用于高频开关应用。同时，VB026MSP-E 的热阻较低，能够有效地将热量从芯片传导至 PCB，提升器件的热稳定性。
TO-252（DPAK）封装提供了良好的机械强度和焊接可靠性，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和产品一致性。此外，VB026MSP-E 还具备良好的雪崩击穿耐受能力，增强了其在极端工作条件下的稳定性与可靠性。
作为 Vishay Siliconix 的高性能 MOSFET，VB026MSP-E 符合 RoHS 环保标准，广泛适用于绿色电子产品的设计与制造。
VB026MSP-E 适用于多种高功率、高效率的电子系统，包括但不限于以下应用领域：
? 电源管理：如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关等，用于提高能效并减小系统尺寸。
? 电机控制：用于直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中，提供高效、快速的开关控制。
? 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、工业电源模块和自动化控制单元。
? 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制、过流保护及电池均衡电路中。
? 汽车电子：包括车载充电器、电动工具、LED 照明驱动等应用，提供高可靠性和紧凑型解决方案。
? 消费电子产品：如笔记本电脑、台式机电源模块、高性能游戏设备等，满足现代电子产品对高效能与节能的需求。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1405, FDP1405, FDV303N, IPD90N03S4-07
