VB026MSP-E 是一款由 Vishay Siliconix 制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,具有低导通电阻和高功率密度的特点。VB026MSP-E 采用 TO-252(DPAK)封装,适用于多种工业和消费类电子应用,如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等。其高可靠性与优异的热性能使其在要求严苛的应用场景中表现出色。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):160A(Tc=25°C)
导通电阻(Rds(on)):2.6mΩ(典型值)
功耗(Pd):130W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-252(DPAK)
VB026MSP-E 具备多项优异的电气和热特性,确保其在高性能电源系统中的稳定运行。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,该 MOSFET 具有高电流承载能力,额定连续漏极电流高达 160A,在高功率应用中表现出色。
该器件的栅极电荷(Qg)较低,使得开关损耗更小,适用于高频开关应用。同时,VB026MSP-E 的热阻较低,能够有效地将热量从芯片传导至 PCB,提升器件的热稳定性。
TO-252(DPAK)封装提供了良好的机械强度和焊接可靠性,适用于表面贴装工艺,提高了生产效率和产品一致性。此外,VB026MSP-E 还具备良好的雪崩击穿耐受能力,增强了其在极端工作条件下的稳定性与可靠性。
作为 Vishay Siliconix 的高性能 MOSFET,VB026MSP-E 符合 RoHS 环保标准,广泛适用于绿色电子产品的设计与制造。
VB026MSP-E 适用于多种高功率、高效率的电子系统,包括但不限于以下应用领域:
? 电源管理:如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关等,用于提高能效并减小系统尺寸。
? 电机控制:用于直流电机、步进电机或伺服电机的驱动电路中,提供高效、快速的开关控制。
? 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、工业电源模块和自动化控制单元。
? 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制、过流保护及电池均衡电路中。
? 汽车电子:包括车载充电器、电动工具、LED 照明驱动等应用,提供高可靠性和紧凑型解决方案。
? 消费电子产品:如笔记本电脑、台式机电源模块、高性能游戏设备等,满足现代电子产品对高效能与节能的需求。
SiR142DP-T1-GE3, IRF1405, FDP1405, FDV303N, IPD90N03S4-07