类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：8.3A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.012Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：42W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

NSP101M8D4TRF 具备优异的导通性能和快速开关特性，使其在高频率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用先进的平面技术，提供更高的耐用性和稳定性。
　　该器件的封装形式为DPAK（TO-252），具有良好的散热性能，适合高功率密度的设计需求。其栅极驱动电压范围较宽，支持在不同工作条件下稳定运行。NSP101M8D4TRF 还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　此外，该MOSFET的封装设计简化了PCB布局并提高了散热效率，使其在紧凑型电源设计中具有显著优势。结合其高电流承载能力和低功耗特性，NSP101M8D4TRF 是中高功率应用的理想选择。

NSP101M8D4TRF 主要应用于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制部分。其优异的性能也使其适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和LED照明驱动器等。
　　在电源管理方面，该MOSFET适用于同步整流器、多相电源和高效能开关电源（SMPS）设计。其高效率和低导通损耗特性可显著提升系统的整体能效，满足现代电子产品对节能和环保的需求。
　　在汽车电子领域，NSP101M8D4TRF 可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）和智能配电系统等，提供可靠的功率控制能力。

SiHH10N100, IRF1010EZ, FDP10N10