时间：2025/4/29 13:19:46
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SPHE8202R-D 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于开关和放大应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适用于各种电源管理和电机驱动场景。
SPHE8202R-D 的设计使其能够承受较高的电流和电压负载，同时保持较低的功耗，是工业控制、消费电子和汽车电子领域中的理想选择。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 VDS：60V
最大栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID：135A
导通电阻 RDS(on)：2.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
总功耗 Ptot：240W
结温范围 Tj：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
SPHE8202R-D 提供了卓越的电气性能和可靠性，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（2.5mΩ 典型值），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力（连续漏极电流达 135A），适合大功率应用场景。
3. 良好的热性能，确保在高温环境下稳定运行。
4. 快速开关速度，支持高频操作，降低电磁干扰。
5. 高可靠性和耐用性，适用于苛刻的工作条件。
6. 封装形式为 TO-247，易于安装和散热管理。
SPHE8202R-D 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动和控制电路中的功率级组件。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关。
5. 汽车电子中的负载切换和保护。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFP2907, STP135N06LLH, FDP187
