时间：2025/5/8 10:28:25
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FDN340P-TG 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 P 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 SOT-23 封装，广泛用于需要低功耗和高效率的开关应用中。由于其小型封装和出色的电气特性，FDN340P-TG 在便携式电子设备、电源管理模块以及负载切换电路中得到了广泛应用。
这款 MOSFET 的导通电阻较低，并且具备良好的漏极电流承载能力，适合在 1A 以下的应用场景中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.1A
栅极阈值电压：-1V 至 -2V
导通电阻（Rds(on)）：3.5Ω 典型值（在 Vgs=-10V 时）
功耗：0.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
FDN340P-TG 提供了非常小的体积，非常适合空间受限的设计。它的 Rds(on) 值较低，在特定条件下可以有效减少导通损耗，从而提升整体系统的效率。此外，其静态漏电流（Igss）非常低，能够进一步降低功耗。器件的工作温度范围较宽，可以在严苛环境下保持稳定运行。
同时，它具有快速的开关速度和良好的动态性能，适用于高频开关电路。得益于 P 沟道设计，该 MOSFET 能够轻松实现高侧开关功能，而无需额外的驱动电路。
SOT-23 封装则使得 FDN340P-TG 更易于安装并兼容各种表面贴装生产工艺。
FDN340P-TG 广泛应用于电池供电设备中的负载开关和电源管理电路，例如手机、平板电脑和其他便携式电子产品。它可以作为高侧或低侧开关使用，用于控制电机、LED 照明或传感器等负载的通断。
此外，该器件也常用于 DC/DC 转换器、反极性保护电路以及热插拔保护电路中。由于其耐压较高，还能够胜任一些轻载降压型转换器的角色。
IRF7413TRPBF, AO3401A
