IRF3205ZS 是一款 N 沫道沟增强型场效应晶体管(N-MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件广泛应用于需要高效功率切换的场景,例如开关电源、电机驱动器和 DC-DC 转换器等。IRF3205ZS 的主要特点是低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和快速开关速度。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220FP,具有良好的散热性能,适合于高功率密度应用。由于其出色的电气特性,IRF3205ZS 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域得到广泛应用。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:49A
导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下测量)
栅极电荷:68nC(典型值)
输入电容:2060pF
总功耗:175W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用。
3. 高电流承载能力,满足大功率需求。
4. 采用 TO-220FP 封装,具备优秀的散热性能。
5. 支持宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 稳定的电气性能,确保在长时间运行中的可靠性。
1. 开关电源(SMPS)设计。
2. DC-DC 转换器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池管理系统(BMS)。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
7. 可再生能源系统中的逆变器和控制器。
IRFZ44N, IRF540N, FDP18N06L