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IRF3205ZS 发布时间 时间:2025/5/21 9:41:56 查看 阅读:14

IRF3205ZS 是一款 N 沫道沟增强型场效应晶体管(N-MOSFET),由 Vishay 公司生产。该器件广泛应用于需要高效功率切换的场景,例如开关电源、电机驱动器和 DC-DC 转换器等。IRF3205ZS 的主要特点是低导通电阻(Rds(on))、高电流处理能力和快速开关速度。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-220FP,具有良好的散热性能,适合于高功率密度应用。由于其出色的电气特性,IRF3205ZS 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域得到广泛应用。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下测量)
  栅极电荷:68nC(典型值)
  输入电容:2060pF
  总功耗:175W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,支持高频应用。
  3. 高电流承载能力,满足大功率需求。
  4. 采用 TO-220FP 封装,具备优秀的散热性能。
  5. 支持宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  6. 稳定的电气性能,确保在长时间运行中的可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)设计。
  2. DC-DC 转换器。
  3. 电机驱动和控制电路。
  4. 电池管理系统(BMS)。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  7. 可再生能源系统中的逆变器和控制器。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, FDP18N06L

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IRF3205ZS参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 66A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3450pF @ 25V
  • 功率 - 最大170W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF3205ZS