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SPH252010H2R2MT 发布时间 时间:2025/6/5 23:23:06 查看 阅读:7

SPH252010H2R2MT是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先进的半导体工艺制造。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点,广泛应用于电源管理、电机驱动、消费类电子等领域。其封装形式为SOP-8,能够有效提升电路效率并降低功耗。

参数

型号:SPH252010H2R2MT
  类型:N-Channel MOSFET
  封装:SOP-8
  Vds(漏源电压):25V
  Vgs(栅源电压):±20V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):1.7mΩ
  Id(连续漏极电流):100A
  f(tsw)(切换频率):5MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

SPH252010H2R2MT的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著减少功率损耗。
  2. 高电流处理能力,最大支持100A连续漏极电流。
  3. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  4. 优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅。
  这些特点使其成为高效功率转换的理想选择。

应用

该器件适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统
  4. 电机驱动控制
  5. 消费类电子产品中的负载开关
  6. 工业自动化设备中的功率调节
  由于其高效率和可靠性,SPH252010H2R2MT在需要大电流和低功耗的场景中表现出色。

替代型号

SPH252010H2R1MT
  IRFZ44N
  FDP150N10A
  STP100N10F5

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SPH252010H2R2MT参数

  • 现有数量1,990现货
  • 价格1 : ¥3.18000剪切带(CT)2,000 : ¥1.36500卷带(TR)
  • 系列SPH
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型鼓芯,绕线式
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感2.2 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)1.4 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)1.8A
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)137 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级-
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试1 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳1008(2520 公制)
  • 供应商器件封装1008
  • 大小 / 尺寸0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.039"(1.00mm)