LBSS84WLT1G 时间：2025/8/13 20:08:57 阅读：20

LBSS84WLT1G是一款由ON Semiconductor生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适用于各种低压功率转换器和负载开关电路。该MOSFET封装在SOT-23（SC-59）小型表面贴装封装中，便于在空间受限的PCB设计中使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　导通电阻（RDS(on)）：最大2.7Ω（在VGS = -4.5V时）
　　栅极电荷（QG）：1.5nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

特性

LBSS84WLT1G的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。由于其采用先进的Trench沟槽技术，该器件在低压应用中表现出优异的性能。此外，它具有快速开关能力，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸。
　　这款MOSFET还具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其小型SOT-23封装不仅节省空间，还便于自动化装配和焊接。此外，该器件具有较低的输入电容和反馈电容，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗。
　　LBSS84WLT1G具有良好的抗静电能力（ESD保护），可防止在操作过程中因静电放电而损坏器件。同时，其内置的体二极管可以用于反向电流保护或在同步整流电路中作为续流二极管。

应用

LBSS84WLT1G常用于便携式电子产品、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电源管理单元、LED驱动器以及各种低电压开关控制电路。由于其小型封装和高效能特性，该MOSFET非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的应用中。
　　在电源管理系统中，它可以用于电池充电控制、电源路径管理或作为负载开关来隔离不同的电源域。在DC-DC转换器中，该器件可以作为高边或低边开关，实现高效的电压转换。此外，它也适用于各种工业控制电路、传感器接口电路以及低功耗物联网（IoT）设备。