时间：2025/9/2 10:04:38
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H5MS5122DFR-J3M 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、低功耗的NAND闪存芯片。该芯片采用BGA封装，适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景，如嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、移动设备和工业控制设备等。H5MS5122DFR-J3M 提供了可靠的存储解决方案，具备较高的耐用性和数据保持能力。
容量：512GB
电压范围：2.7V - 3.6V
接口：ONFI 3.0 / Toggle Mode 2.0
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
读取速度：最高可达 500MB/s
写入速度：最高可达 350MB/s
ECC要求：需要外部ECC支持
数据保留时间：10年（Typical）
擦写寿命：约3000次 P/E cycles
H5MS5122DFR-J3M 是一款高性能的3D NAND闪存芯片，采用了先进的制造工艺，具备出色的读写性能和稳定性。
该芯片支持ONFI 3.0和Toggle Mode 2.0接口协议，能够满足高速数据传输的需求，适用于对存储性能要求较高的应用场合。
低功耗设计使得该芯片非常适合用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和便携式存储设备。
此外，H5MS5122DFR-J3M具备较强的抗干扰能力和环境适应性，能够在工业级温度范围内稳定工作，确保在各种复杂环境下的数据可靠性。
该芯片采用BGA封装技术，有效提高了封装密度，减少了PCB空间占用，适合高密度嵌入式存储设计。
由于其大容量和高耐用性，H5MS5122DFR-J3M也常用于固态硬盘、工业控制系统、车载导航系统和高端消费类电子产品中。
H5MS5122DFR-J3M 主要应用于以下领域：
? 高端智能手机和平板电脑的内置存储
? 固态硬盘（SSD）和嵌入式多媒体卡（eMMC）模块
? 工业控制设备和自动化系统
? 车载信息娱乐系统与导航设备
? 高性能U盘和存储卡
? 数据采集和存储设备
H5MS5122ECR-J3M, H5MS5122EFR-J3C, H5MS5122DFR-J3C
