时间：2025/5/29 0:37:36
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SIR426DP-T1-GE3 是一款基于 Vishay Siliconix 品牌的 N 沟道功率 MOSFET，采用 PowerPAK SO-8 封装。该器件专为高效率和低功耗应用设计，具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗并提升系统性能。
这种 MOSFET 常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载切换等应用场景中。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻：3.5mΩ（典型值，条件为 Vgs=10V）
栅极电荷：18nC（典型值）
反向恢复时间：30ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：PowerPAK SO-8
SIR426DP-T1-GE3 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在各种工作条件下均能保持高效性能。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性以应对异常情况。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，并支持无铅焊接工艺。
5. 工作温度范围宽广，适应多种严苛环境下的应用需求。
6. 出色的热性能表现，能够更好地管理器件内部热量分布。
这些特点使 SIR426DP 成为高功率密度设计中的关键元件。
SIR426DP-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 各种类型的电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机控制。
3. 计算机及其外设中的负载开关与保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率级控制。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电路径管理。
6. 可再生能源系统的逆变器和转换器组件。
这款 MOSFET 的高性能和灵活性使其非常适合需要高效率和可靠性的现代电子产品。
SIR426DP, IRF7410, AO4402
