时间：2025/9/14 17:47:06
阅读：9
BUK9M34-100EX 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能功率 MOSFET 器件，专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于诸如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等场景。BUK9M34-100EX 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有良好的稳定性和耐用性，广泛用于工业、汽车和消费类电子产品中。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（Id）：120A（Tc=25℃）
最大漏-源电压（Vds）：100V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：Power-SO8
功耗（Ptot）：95W
漏极电流在25℃下连续：120A
栅极电荷（Qg）：150nC（典型）
漏-源击穿电压：100V
BUK9M34-100EX 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高效率电源转换系统中表现优异。其 3.4mΩ 的导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件支持高达 120A 的连续漏极电流，能够应对高功率负载的应用需求。采用 Power-SO8 封装，BUK9M34-100EX 在有限的 PCB 空间内提供了良好的散热性能，同时具备较高的机械稳定性和可靠性。
该 MOSFET 的栅极电荷（Qg）仅为 150nC，使其在高频开关应用中表现良好，降低了开关损耗并提升了动态响应。其工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃，确保在极端环境下的稳定运行，适用于汽车电子和工业控制等严苛环境。此外，该器件具有高雪崩能量耐受能力，增强了在过载或瞬态条件下的鲁棒性。
BUK9M34-100EX 还具备优异的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，避免因过热导致的失效。其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了对栅极驱动电路的兼容性，允许使用更高电压的驱动器以提高开关速度和系统响应能力。
BUK9M34-100EX 广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动系统。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，该器件可作为主开关或同步整流元件，提升整体效率和可靠性。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）和汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS），在高温和高电流环境下表现出色。该器件的高可靠性和优异的热性能也使其成为高性能计算设备和数据中心电源系统中的理想选择。
IPB017N10N3, BSC034N10NS5, BUK9Y15-100E
