2CR162A8 是一款双通道、增强型N沟道功率MOSFET,广泛应用于功率开关和高电流负载控制电路中。该器件采用先进的工艺制造,具有较低的导通电阻(RDS(on)),确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗。2CR162A8 通常用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动电路和电池供电设备中,具有高效率和优异的热稳定性。该MOSFET采用SOP(Small Outline Package)封装,适用于表面贴装技术,便于自动化生产和紧凑型设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):8A(每个通道)
导通电阻(RDS(on)):25mΩ @ VGS=10V
最大工作温度:150°C
封装形式:SOP-8
2CR162A8 采用双通道设计,每个通道均可独立工作,提供高效的功率控制能力。其低导通电阻确保在高电流运行时仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持从4.5V到10V的驱动电压,适用于多种控制电路,包括PWM控制器和微处理器。此外,其高耐压特性(60V VDS)使其能够适应较宽的工作电压范围,适用于多种电源拓扑结构。
由于采用了先进的沟槽式MOSFET工艺,2CR162A8 在高频开关应用中表现出色,具有较低的开关损耗和良好的热稳定性。同时,其SOP-8封装具备良好的散热性能,有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
该MOSFET内置防静电保护(ESD保护)功能,能够有效防止在操作和安装过程中因静电放电造成的损坏,从而提高器件的使用寿命和稳定性。此外,其封装设计也便于PCB布局和散热管理,适用于紧凑型电源设计和高密度电路应用。
2CR162A8 主要用于以下应用领域:
? DC-DC转换器:适用于升压(Boost)和降压(Buck)转换器,提供高效的功率转换能力。
? 电源管理系统:用于电池供电设备中的电源开关和负载管理,如笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备。
? 电机驱动电路:用于小型电机和步进电机的驱动控制,提供稳定的功率输出。
? LED驱动器:适用于高亮度LED的恒流驱动,确保LED的稳定亮度和长寿命。
? 工业控制系统:用于PLC、继电器驱动和工业自动化设备中的功率控制模块。
Si8820EDB, AO4406A, IRF7413, FDS6680, FDC640N