FN21X152K500PXG是一款高性能的氮化镓(GaN)功率晶体管,基于增强型GaN技术设计。该器件适用于高频、高效率电源转换应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
这款晶体管采用DFN8封装形式,能够显著减少寄生电感的影响,从而提升整体系统性能。FN21X152K500PXG在消费电子、工业设备以及通信电源领域有着广泛的应用前景。
额定电压:650V
额定电流:50A
导通电阻:21mΩ
栅极电荷:75nC
输入电容:1200pF
输出电容:35pF
反向恢复时间:无(因GaN无反向恢复损耗)
工作温度范围:-55℃至+150℃
FN21X152K500PXG采用了先进的GaN技术,具备以下特点:
1. 高频率操作能力,可支持超过5MHz的工作频率。
2. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗并提高效率。
3. 快速的开关速度和零反向恢复损耗,有效减少开关损耗。
4. 强大的热性能,适合高温环境下的稳定运行。
5. 小尺寸封装,便于PCB布局和节省空间。
这些特性使得该器件非常适合用于需要高效能和小型化的应用场景。
FN21X152K500PXG广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如AC-DC适配器和充电器。
2. 无线充电设备,提供高效的能量传输。
3. 电机驱动器,用于家用电器和工业自动化。
4. 可再生能源系统中的逆变器和转换器。
5. 数据中心和电信基础设施中的高效电源模块。
由于其卓越的性能和可靠性,FN21X152K500PXG成为众多高要求应用的理想选择。
FX310G650EPD
GXT50R210AE
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