时间：2025/4/30 10:24:33
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SPB80P06P G是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件主要应用于低电压、高效率的开关电源和电机驱动等场景中。其额定电压为60V，能够承受较大的电流负载，同时具有较低的导通电阻，以减少功率损耗并提高整体系统的效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：80A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：39nC
开关时间：开启时间37ns，关断时间18ns
功耗：100W
工作结温范围：-55℃至175℃
SPB80P06P G具备低导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中表现优异，降低了传导损耗。
该器件采用了先进的制造工艺，确保了较高的稳定性和可靠性。
快速开关性能有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源。
其封装形式紧凑，便于PCB布局，并且具备良好的散热性能。
SPB80P06P G广泛应用于各种高效能需求的电路中，包括但不限于直流-直流转换器、开关电源、电池保护电路、电机驱动以及不间断电源系统（UPS）。此外，由于其低导通电阻和高电流承载能力，它也适合用于工业控制设备和汽车电子领域中的负载开关或保护功能。
IRFZ44N
STP80NF06L
FDP8880
IXYS IXFN80N06T2
