时间：2025/4/28 20:19:28
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DMN2024UQ是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型SOT23-3封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合在各种便携式设备和消费电子产品中使用。它广泛应用于负载开关、电源管理电路以及信号电平转换等场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极-源极电压：±20V
总功耗：480mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
DMN2024UQ具备低导通电阻和低电荷特性，可以有效减少功率损耗并提升效率。
其小型SOT23-3封装使其非常适合空间受限的应用场景。
此外，该器件具有较高的开关速度，能够适应高频开关应用的需求。
内置的ESD保护功能提高了器件在实际应用中的可靠性。
该MOSFET常用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关。
2. 消费类电子产品中的电源管理单元。
3. 信号电平转换器。
4. 小型DC-DC转换器及电池管理系统。
5. LED驱动和背光控制电路。
DMN2022UQ
NTMFS4838NL
AO3400
