TEPSLB21E156M8R 时间：2025/4/29 17:57:45 阅读：5

TEPSLB21E156M8R是一款由Toshiba生产的高性能功率MOSFET芯片，主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和优异的热性能，能够满足工业和消费电子领域对高效能功率转换的需求。
　　这款MOSFET属于N沟道增强型器件，适用于高频开关应用和负载切换场景。其封装形式为小型化的表面贴装类型（如TO-252或DPAK），非常适合空间受限的设计环境。

参数

型号：TEPSLB21E156M8R
　　类别：功率MOSFET
　　类型：N沟道
　　漏源极电压(Vds)：60V
　　栅极源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
　　功耗(Ptot)：74W
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃
　　252)

特性

TEPSLB21E156M8R以其卓越的电气特性和可靠性著称。以下是其主要特点：
　　1. 极低的导通电阻(1.5mΩ)，显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。
　　2. 高额定电流(30A)，使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率应用。
　　3. 优化的开关性能，支持高频操作，减少了电磁干扰并提升了动态响应速度。
　　4. 强大的热管理能力，确保在高温环境下稳定运行。
　　5. 小型化封装设计，节省了PCB空间，适合紧凑型设计方案。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

TEPSLB21E156M8R广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器，提供高效的功率转换。
　　2. 电机驱动和控制，用于家用电器、工业设备中的电机启动与调速。
　　3. 电池保护和管理系统(BMS)，防止过充、过放及短路。
　　4. 汽车电子，例如电动助力转向系统(EPAS)、LED照明以及车载充电器等。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节模块。