时间：2025/4/27 13:41:45
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SI9430DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型化的 TO-252 (DPAK) 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于高效能开关电源、DC/DC 转换器、负载开关及电机驱动等应用领域。
这款 MOSFET 在设计上着重优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而提升了整体效率并降低了系统功耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：80mΩ
栅极阈值电压：2.5V
总栅极电荷：12nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI9430DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，在 4.5V 栅极驱动下仅为 80mΩ，有助于减少传导损耗。
2. 高速开关性能，总栅极电荷仅为 12nC，能够实现高频应用。
3. 宽泛的工作温度范围支持各种恶劣环境下的应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
5. 小型化封装（TO-252），便于 PCB 布局和散热设计。
6. 可靠性高，具备出色的电气特性和热稳定性。
SI9430DY-T1-GE3 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC/DC 转换器的高端或低端开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 工业控制和消费电子中的电机驱动。
5. 便携式电子产品的充电管理模块。
6. 照明系统中的 LED 驱动电路。
SI9433DS, IRFZ44N, FDP5570
