时间：2025/3/24 9:13:45
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HAT2280R-EL-E是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、低损耗应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具备极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于各类开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。其封装形式紧凑，能够有效节省PCB空间，同时提供卓越的散热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：140A（Tc=25°C）
导通电阻Rds(on)：0.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗Ptot：315W
结温范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247-3
HAT2280R-EL-E具有超低导通电阻，能够在高电流应用中显著降低功率损耗。其快速开关性能可减少开关损耗，并提高整体效率。
此外，该器件采用了坚固的设计以支持高可靠性运行，特别适合要求严苛的工业和汽车环境。它还具备出色的热稳定性和耐热冲击能力，确保在极端温度条件下的稳定性。
HAT2280R-EL-E的封装形式提供了良好的散热路径，有助于进一步提升系统性能和寿命。这些特点使其成为高效能电力电子设备的理想选择。
该芯片广泛应用于大功率开关电源、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车牵引逆变器以及工业电机驱动等领域。
在开关电源中，HAT2280R-EL-E可以用作同步整流器或主开关管，提供高效的能量转换。在电机驱动应用中，它可以作为功率级的一部分，实现精确的电流控制和快速动态响应。
此外，由于其高电流承载能力和低导通损耗，它也非常适合用于大功率DC-DC转换器和电池管理系统中的功率开关组件。
HAT2280L-EL-E, HAT2281R-EL-E
