SMV1702 时间：2025/8/22 1:12:22 阅读：7

SMV1702 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关和电机控制等场景。SMV1702 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：17A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：10.5mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：26nC
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

SMV1702 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。在 Vgs = 10V 的条件下，Rds(on) 典型值为 10.5mΩ，使其非常适合用于高电流应用场景。
　　此外，该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达 17A，适用于高功率密度的电源系统。SMV1702 的栅极电荷（Qg）为 26nC，在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有较低的热阻（Rth），可有效将热量传导至 PCB，提升器件在高负载下的可靠性。
　　SMV1702 支持宽范围的栅极电压（±20V），使其兼容多种驱动电路设计，同时具备较强的抗静电能力（ESD）和过热保护能力，提升了器件在复杂工作环境下的稳定性与安全性。

应用

SMV1702 主要应用于各种中高功率的电力电子系统中，例如同步整流型 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化控制系统等。
　　在同步整流器中，SMV1702 可用于替代传统二极管，显著降低导通压降和功率损耗，从而提高转换效率。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制，实现高效率的能量传输。
　　此外，SMV1702 还广泛用于电信设备、服务器电源、UPS（不间断电源）、LED 驱动电源等对效率和散热要求较高的场合。其紧凑的封装形式也使其适用于空间受限的设计。
　　由于其良好的开关性能和高电流能力，该 MOSFET 在电机控制和功率因数校正（PFC）电路中也有广泛应用。