时间：2025/8/28 17:16:07
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KSR2114TF 是一款由 KEC Corporation（现为 KECCorporation 或已被其他公司收购）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、电池充电系统、负载开关以及电机控制等场景。KSR2114TF 的设计具备较低的导通电阻（Rds(on)），能够在较高频率下工作，同时保持较低的开关损耗。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：60A（在 25°C 下）
最大耗散功率（Pd）：125W
导通电阻（Rds(on)）：约 3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KSR2114TF MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗和发热。这种 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供更高的效率和更低的开关损耗。此外，它具有较高的电流承载能力，即使在高温环境下也能保持稳定运行。该器件的封装形式（TO-252）有助于良好的热管理，确保在高功耗情况下仍能维持可靠的工作状态。
KSR2114TF 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 驱动电压，同时也可兼容更低电压的控制电路，适用于多种电源管理设计。其高耐压能力和良好的热稳定性使其在电源转换器和负载开关应用中表现出色。
此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减少外部滤波元件的尺寸和成本。其封装设计还提供了良好的电气隔离和机械强度，确保在恶劣环境中也能稳定运行。
KSR2114TF 广泛应用于各种电力电子系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路以及电源开关模块。它也适用于高效率电源适配器、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及汽车电子系统中的电源管理模块。由于其优异的导通性能和热管理能力，该 MOSFET 特别适合用于需要高电流和低损耗的场合。
IRF3710, STP60NF03L, FDP6030L, Si4410DY
