LBC856BLT1 时间：2025/8/13 6:35:57 阅读：25

LBC856BLT1 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高效率的电源转换和开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。LBC856BLT1封装形式为SOT-223，适用于需要紧凑设计和高效能表现的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：60A
　　最大漏-源电压：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：10.5mΩ（最大值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压：2V至4V
　　最大功耗：83W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

LBC856BLT1的主要特性之一是其低导通电阻，能够在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。这种MOSFET的导通电阻在VGS=10V时最大为10.5mΩ，这在同类器件中属于较低水平，适合用于高效率DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等应用。
　　其次，LBC856BLT1采用了先进的Trench沟槽技术，使其在导通和关断状态下的性能更加优异。Trench技术不仅有助于降低导通电阻，还能减少开关损耗，提高器件的响应速度，这对于高频开关应用至关重要。
　　此外，LBC856BLT1的最大漏极电流为60A，最大漏-源电压为30V，这意味着它能够在相对较高的电压和电流条件下稳定工作，适用于多种电源管理场景。其栅极阈值电压范围为2V至4V，使其可以与常见的逻辑电路兼容，简化了驱动电路的设计。
　　该器件的封装形式为SOT-223，具有良好的热性能和机械稳定性。SOT-223封装的紧凑设计使其非常适合用于空间受限的应用，如便携式电子产品和嵌入式系统。同时，该封装能够有效散热，确保器件在高负载条件下依然保持稳定的工作状态。
　　LBC856BLT1的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端环境条件下正常工作。这种宽温度范围使其适用于工业级和汽车电子应用，确保在各种环境下的可靠性和稳定性。
　　总的来说，LBC856BLT1是一款性能优异的功率MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力和紧凑的封装设计，成为多种电源管理和开关应用的理想选择。

应用

LBC856BLT1广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和优异的开关性能，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换应用。此外，LBC856BLT1也常用于汽车电子系统、工业自动化设备和便携式电子产品中，以满足这些应用对高效率和紧凑设计的需求。