时间：2025/9/14 1:16:29
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BSS84AKQBZ 是一款由英飞凌（Infineon）推出的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用小型化的PG-SOT23-3封装形式。这款MOSFET适用于低电压和中等功率应用，具有良好的导通特性和快速开关能力。由于其高可靠性和紧凑的封装，BSS84AKQBZ广泛应用于便携式电子设备、电源管理和负载开关等场景。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100mA
功率耗散（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PG-SOT23-3
BSS84AKQBZ MOSFET具备多项优秀的电气和物理特性。首先，其P沟道结构支持在低电压条件下高效工作，适用于-100V的漏源电压操作。其次，该器件的最大连续漏极电流为100mA，能够满足多种低功耗电路的需求。此外，BSS84AKQBZ具有较宽的栅源电压范围（±20V），增强了其在不同控制电路中的适应性。
功率耗散方面，BSS84AKQBZ的典型值为300mW，能够在有限的散热条件下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至150°C，表明其具备良好的环境适应性和稳定性，适用于多种工业和消费类应用场景。此外，PG-SOT23-3封装不仅体积小巧，而且具有良好的机械强度和热稳定性，便于表面贴装和自动化生产。
BSS84AKQBZ MOSFET主要用于低电压和中等功率控制电路中。由于其P沟道特性，常用于高边开关应用，例如电池供电设备的电源管理、DC-DC转换器和负载开关控制。此外，它在便携式电子产品中广泛用于电压调节和信号切换。
该器件还适合用于电机控制、LED驱动、继电器替代以及保护电路中的开关元件。其快速开关特性也使其适用于需要高频操作的电路，如开关电源和同步整流器。在汽车电子系统中，BSS84AKQBZ也可用于传感器控制和小型执行器驱动。
BSS84AKQ
