SMTPA62是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET以其高效率、低导通电阻和优异的热性能而著称,适用于各种高功率密度设计。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):60A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):1.8mΩ(典型值)
功率耗散(PD):160W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220、D2PAK
SMTPA62具有极低的导通电阻,这使其在高电流应用中能够保持较低的功耗,从而提高整体系统效率。此外,该器件采用了先进的沟槽技术,提供了良好的热稳定性和可靠性。其高耐压能力和宽温度范围使其适用于各种恶劣环境下的应用。
该MOSFET还具备快速开关特性,能够有效减少开关损耗,提高系统的响应速度。此外,它具有良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较高的电流而不损坏。这种特性使其在电机驱动、电源转换器和电池管理系统等应用中表现出色。
在封装方面,SMTPA62提供TO-220和D2PAK两种封装形式,用户可以根据具体的设计需求选择合适的封装形式。TO-220封装适用于通孔安装,而D2PAK封装则适合表面贴装应用,提供更高的安装灵活性。
SMTPA62广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于:电源供应器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高电流承载能力和优异的热管理性能使其成为许多高性能电源设计的理想选择。
IRF1404、IPB065N06N、FDP6670、SiR178DP