型号：AL02ST0N5
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：60 mA
　　输入反向电压：6 V
　　输出集电极-发射极电压：80 V
　　输出发射极-集电极电压：6 V
　　集电极电流：150 mA
　　功耗：200 mW
　　绝缘电压：5000 VRMS
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大数据速率：100 kbps
　　电流传输比（CTR）：50% - 600%
　　上升时间：4 μs
　　下降时间：3 μs
　　封装类型：6-DIP（双列直插式）

AL02ST0N5具备优异的电气隔离性能，其核心优势在于高达5000VRMS的隔离电压，能够有效阻断高电压侧对低电压控制电路的干扰和损害，保障系统的安全性与稳定性。该光耦内部采用GaAs红外LED与硅基光敏三极管组合结构，确保了高效的光电转换效率和较长的使用寿命。其电流传输比（CTR）范围宽广，典型值在50%至600%之间，意味着即使在较小的输入电流下也能驱动足够的输出电流，适用于多种驱动条件下的信号传递。CTR的良好一致性减少了外围电路调试难度，提升了批量生产中的良品率。
　　该器件具有出色的温度适应性，在-55°C到+110°C的宽温范围内仍能保持稳定的性能表现，适合部署于极端气候环境或高发热工业设备中。同时，其抗电磁干扰（EMI）能力强，能够在强电场或高频噪声环境中可靠工作，避免误触发或信号失真。AL02ST0N5的响应时间较短，上升时间为4μs，下降时间为3μs，支持最高约100kbps的数据传输速率，足以满足大多数中低速数字信号隔离需求，如PWM控制、状态反馈、串行通信隔离等。
　　封装方面，该器件采用标准6引脚DIP封装，引脚间距为2.54mm，兼容传统通孔焊接工艺，也适用于波峰焊和回流焊生产线，便于自动化装配。其封装材料符合UL94V-0阻燃等级要求，增强了防火安全性。此外，产品通过了UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5、EN/IEC 60747-5-5等多项国际安全认证，确保在全球范围内的合规性与互换性。这些特性使其成为工业自动化、电力监控、医疗设备辅助电源、逆变器控制系统等领域中理想的隔离解决方案。

AL02ST0N5广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。在开关电源领域，它常用于反馈回路中，将次级侧的电压调节信号通过光耦隔离后传送到初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压控制，同时防止高压侧对控制芯片造成影响。在工业可编程逻辑控制器（PLC）中，该光耦作为数字输入模块的核心元件，用于接收来自传感器或按钮的现场信号，并将其与内部逻辑电路进行隔离，提升系统的抗干扰能力和运行可靠性。在电机驱动与逆变器系统中，AL02ST0N5可用于隔离控制信号与功率桥路之间的通信，防止高dv/dt干扰导致误动作。
　　此外，该器件还常见于通信接口隔离电路，例如RS-232、RS-485等总线系统中，用以切断地环路并提高通信稳定性。在嵌入式系统中，当微控制器需连接外部高电压或噪声较大的负载时，AL02ST0N5可作为I/O端口的隔离缓冲器，保护主控芯片免受损坏。其也可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、智能电表等设备中，执行状态检测、故障报警或使能信号的隔离传输。得益于其高绝缘强度和长期稳定性，该光耦甚至可用于部分医疗电子设备的辅助电源或信号采集单元中，满足基本的安全隔离要求。总之，凡涉及高低压混合电路、远距离信号传输或复杂电磁环境的应用场景，AL02ST0N5均能发挥关键作用。

PC817X1NIP0F
　　TLP521-GB
　　EL817C