时间：2025/7/1 0:30:31
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STR2P3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款双通道功率开关芯片，专为驱动两个N沟道MOSFET而设计。该芯片集成了电荷泵电路以确保栅极驱动电压稳定，并且具备多种保护功能，如过流保护、短路保护和热关断等，从而提高了系统的可靠性和安全性。STR2P3LLH6广泛应用于汽车电子领域，例如电机控制、负载切换以及LED驱动等场景。
类型：双通道功率开关
封装：LLH6
输入电压范围：4.5V至30V
持续输出电流：每通道最高达3A
工作温度范围：-40℃至150℃
逻辑输入兼容性：CMOS/TTL
电荷泵效率：典型值90%
保护功能：过流保护、短路保护、热关断
STR2P3LLH6采用先进的BCD制造工艺，能够提供高效率的栅极驱动能力。
其内置的电荷泵可以将输入电压提升到足够的水平，以确保N沟道MOSFET完全导通，降低导通损耗。
芯片具有非常低的静态电流消耗，有助于延长电池供电设备的续航时间。
通过集成多重保护机制，STR2P3LLH6能够在异常条件下自动关闭输出，防止损坏。
此外，该芯片还支持诊断功能，可以向主机控制器报告故障状态，进一步提升了系统智能化程度。
STR2P3LLH6适用于各种需要高效驱动N沟道MOSFET的应用场合，包括但不限于以下领域：
1. 汽车电子中的电机控制，如雨刷、座椅调节、电动车窗等。
2. 负载切换，用于管理复杂系统中的不同电源路径。
3. 高亮度LED驱动，满足车载照明需求。
4. 一般工业控制及消费类电子产品中的功率开关应用。
STR2PD3LLH6
