时间：2025/8/21 1:24:13
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W979H6KBVX2E TR 是由Winbond（华邦电子）生产的一款高性能、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于DDR3 SDRAM类别，专为需要高带宽和大容量内存的应用设计。W979H6KBVX2E TR采用BGA（球栅阵列）封装，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及消费类电子产品。其高可靠性和稳定性使其成为各类高性能系统中理想的内存解决方案。
类型：DRAM
接口类型：DDR3 SDRAM
容量：256MB
数据宽度：16位
电压：1.35V / 1.5V
时钟频率：800MHz
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装类型：BGA
引脚数量：96
JEDEC标准：支持
数据传输速率：1600Mbps
CAS延迟：CL11
行地址位数：A0-A12
列地址位数：A0-A9
Bank数量：8
W979H6KBVX2E TR是一款专为高性能应用设计的DDR3 SDRAM芯片，具备多项显著特性。首先，该芯片采用先进的DRAM技术，提供高达256MB的存储容量和16位的数据总线宽度，支持高速数据传输速率，最大可达1600Mbps，满足现代系统对内存带宽的需求。其内部分为8个Bank，支持并发操作，从而提升数据访问效率。
其次，W979H6KBVX2E TR支持1.35V和1.5V两种电压模式，具有低功耗特性，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。此外，该芯片支持CL11的CAS延迟，提供良好的性能与延迟平衡，适用于多种高性能计算和通信平台。
W979H6KBVX2E TR广泛应用于对内存性能和稳定性有较高要求的各类电子设备中。在工业控制领域，该芯片可作为PLC控制器、工业计算机和自动化设备的主存，确保系统在复杂环境下的稳定运行。在通信设备方面，W979H6KBVX2E TR常用于路由器、交换机、基站控制器等设备中，以提供高速数据缓存和处理能力。
W979H6KBHX6E TR, W979S6KB8H25 TR, W979H6KBJX8E TR, W979H6KBJX8I TR
