晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：600 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：160 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：180 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：TO-92
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　直流电流增益（hFE）：50-800（取决于电流和温度条件）

2N5551A FE T/P晶体管具有多种优异的电气特性，确保其在高频应用中的稳定性和性能。首先，它拥有较高的集电极-发射极击穿电压（VCE），最大可达160 V，这使得它能够在较高电压环境下工作，适用于需要较高电压耐受能力的电路设计。其次，该晶体管的过渡频率（fT）达到100 MHz，使其非常适合用于高频放大电路，如视频放大器、射频前置放大器等。此外，其直流电流增益（hFE）范围较宽，通常在50至800之间，具体数值取决于工作电流和温度条件，这种可变增益特性增强了其在不同应用场景下的灵活性。2N5551A的TO-92封装形式具有良好的散热性能和可靠性，同时便于安装在印刷电路板（PCB）上。该器件的低噪声特性也使其适用于前置放大器和信号处理电路，能够有效提升信号质量。最后，2N5551A的功耗较低，最大为300 mW，这有助于减少电路整体发热并提高能效。

2N5551A FE T/P晶体管主要应用于高频放大器、视频放大器、射频（RF）放大器、低噪声前置放大器以及高速开关电路中。其高电压耐受能力使其在高压开关电路中也有广泛使用，例如电源控制和驱动电路。此外，它也被广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业自动化系统和测试仪器中。由于其良好的频率响应和低噪声特性，2N5551A常用于电视接收器、VCR设备、无线通信系统和模拟信号处理电路。在一些需要稳定高频性能的电路设计中，该晶体管是一个理想的选择。

2N5551, 2N3904, BC547, 2N2222A