时间：2025/5/7 10:10:42
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PESD9B18VU是Nexperia（前身为恩智浦半导体的一部分）生产的双向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，属于PESD系列。它专门用于保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压的影响。该器件采用DFN1210-2封装形式，具有超低电容和高浪涌能力的特点，适合高速信号线和数据接口的保护。
工作电压：18V
最大箝位电压：31.6V
峰值脉冲电流：4A
电容：0.5pF
响应时间：典型值1ps
漏电流：最大1μA（@VRWM=20V）
结温范围：-55℃至+150℃
PESD9B18VU采用了先进的硅技术制造，具有非常低的电容值，使其非常适合高频应用环境。它的双向设计能够有效抑制正负方向的过压瞬态，并且其超快的响应速度确保了对敏感电路的即时保护。
此外，该器件具备优秀的鲁棒性，能够承受高达4A的峰值脉冲电流而不损坏。其小型化的DFN1210-2封装不仅节省了PCB空间，还提升了热性能，特别适用于便携式设备和其他空间受限的应用场景。
PESD9B18VU广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中，如USB接口、HDMI端口、以太网端口等高速数据线的ESD保护。它也适用于射频模块、传感器输入端以及各种需要低电容保护的场合。
由于其出色的性能，该器件在手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备以及其他含有高频信号线路的产品中得到广泛应用。
PESD9B18VS, PESD9B24VU, SMAJ18A
