时间：2025/8/20 19:45:02
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MMD70R750P 是一款由英飞凌（Infineon）推出的碳化硅（SiC）MOSFET功率晶体管，属于其MOSFET产品线中的高性能器件。该器件基于碳化硅材料技术，具有优异的导通和开关性能，适用于高频率、高效率的功率转换系统。MMD70R750P 采用TO-247封装形式，适用于工业电源、电动车充电系统、可再生能源逆变器等高要求的应用场景。
类型：SiC MOSFET
漏源电压(Vds)：750V
漏极电流(Id)：70A
导通电阻(Rds(on))：约25mΩ（典型值）
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极电荷(Qg)：约100nC（典型值）
最大耗散功率：300W
MMD70R750P 以其基于碳化硅（SiC）的材料技术为核心优势，提供极低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关性能，从而显著降低了功率转换过程中的能量损耗。此外，该器件的高热导率和耐高温特性使其在高温环境下仍能保持稳定的运行性能。
该MOSFET的封装设计（TO-247）有助于提高热管理和机械稳定性，同时简化了在电路中的安装和使用。由于其优异的开关性能，MMD70R750P 可支持更高的开关频率，从而减少外围元件的尺寸和重量，实现更紧凑的功率系统设计。
此外，MMD70R750P 具备良好的短路耐受能力和过载能力，适用于对系统可靠性和稳定性有较高要求的应用场景。结合其高耐压特性，该器件能够在高电压和高功率条件下提供稳定的性能，适用于电动车充电器、太阳能逆变器、工业电机驱动以及高频电源转换器等应用场景。
MMD70R750P 主要应用于需要高效率、高频率和高可靠性的功率电子系统。其中包括电动车充电系统、太阳能逆变器、工业电源、高频DC-DC转换器、电机驱动器以及不间断电源（UPS）系统。由于其优越的导通和开关特性，该器件在这些应用中能够有效降低能量损耗并提升系统整体效率。
在电动车领域，MMD70R750P 可用于车载充电器（OBC）和DC-DC变换器，为提高电动车的能量利用率和充电效率提供技术支持。在可再生能源领域，如太阳能逆变器，该器件能够显著提高能量转换效率，并支持更高的工作温度和更小的散热设计需求。此外，在工业自动化和电源管理系统中，MMD70R750P 能够满足对高功率密度和高效能转换的严苛要求。
Infineon IMW120R048M1H、Cree/Wolfspeed C3M0065090J、STMicroelectronics SCT3040KL、ON Semiconductor NVHL025N120SC1
