类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：10V
　　齐纳电压容差：±5%（在测试电流下）
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C

HMSZ5240BT1G 是一款高性能齐纳二极管，其设计优化了在低电流条件下的电压稳定性，使其在广泛的电流范围内保持较低的动态阻抗。该器件的容差为±5%，在测试电流条件下提供高精度的电压参考。此外，HMSZ5240BT1G 具有较低的漏电流，在反向截止状态下能够保持较高的阻断性能，从而减少对系统功耗的影响。
　　该齐纳二极管采用SOD-523小型封装，适用于空间受限的表面贴装应用。其良好的温度系数和热稳定性确保在不同环境温度下仍能维持稳定的电压输出。此外，该器件符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，适合现代环保电子产品的设计需求。
　　在电气性能方面，HMSZ5240BT1G 能够承受高达200mA的齐纳电流，并具有300mW的最大功率耗散能力，适用于中等功率的稳压和参考电压应用。其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用。

HMSZ5240BT1G 主要用于需要高精度电压参考和稳压功能的电子电路中。典型应用包括线性稳压器、开关电源、电池管理系统、仪表放大器、传感器接口电路以及各类模拟信号处理系统。由于其良好的稳定性和低漏电流特性，该器件也广泛应用于便携式设备和低功耗系统中，如智能手机、工业控制模块、汽车电子控制单元（ECU）等。
　　此外，该齐纳二极管还可用于电压监测电路、过压保护电路以及作为比较器的基准电压源，提供稳定可靠的参考电平。其小型封装形式也使其适用于高密度PCB布局设计。

MMSZ5240B-TP, BZV55-B10, SZ1SMA5940BT3G