PL35P03 是一种 NPN 型高频晶体管,主要用于射频 (RF) 放大器、混频器和开关电路。该晶体管采用塑料封装,具有低噪声、高增益和宽带宽的特点,适合于通信设备、无线模块和其他高频应用中。这种晶体管通常用于需要高频率性能的场合,并且其优异的线性度和稳定性使其成为许多设计的理想选择。
PL35P03 的设计目标是满足高性能射频放大需求,同时保持较低的功耗特性,这使得它在手持设备、移动通信和消费电子领域中非常受欢迎。
集电极-发射极电压:30V
集电极最大电流:200mA
直流电流增益:100-300
特征频率:800MHz
热阻(结到环境):200°C/W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
PL35P03 晶体管具有以下显著特点:
1. 高特征频率 (ft):高达 800 MHz,适用于高频应用。
2. 低噪声系数:特别适合射频信号放大和接收机前端电路。
3. 稳定的直流电流增益:在较宽的电流范围内提供一致的增益性能。
4. 小型化封装:有助于减少整体电路板空间占用。
5. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行,适应各种工业应用场景。
6. 良好的线性度:确保信号失真最小化,从而提高系统性能。
PL35P03 主要应用于以下领域:
1. 射频放大器设计:如低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器前置级。
2. 混频器电路:用于频率转换的非线性电路组件。
3. 开关应用:利用其快速开关能力实现高效切换功能。
4. 无线通信模块:包括蓝牙、Wi-Fi 和 Zigbee 等短距离通信设备。
5. 高频振荡器:产生稳定的高频信号,作为时钟或载波源。
6. 工业控制与自动化:在需要精确信号处理的地方使用。
MPSH10
2SC3358
BFR96