SMCJ33ATR-13是一款表面贴装硅瞬变电压吸收器(TVS),用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、感应雷击和其他瞬态电压引起的损害。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术制造,具有快速响应时间和高能量吸收能力。适用于各种通用和高性能电子应用,特别是需要ESD保护的场合。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装形式:表面贴装(SMCJ系列)
极性:双向
工作电压:33V
最大反向工作电压(VRWM):33V
击穿电压(VBR):36.7V(最小)至40.6V(最大)
钳位电压(VC):58.9V(最大)
最大峰值脉冲电流(IPP):14.3A(8/20μs波形)
响应时间:1.0ps(典型)
最大反向漏电流(IR):10μA(最大)
功率耗散(PPPM):1500W(8/20μs波形)
封装尺寸:DO-214AB(SMC)
SMCJ33ATR-13具有多项优异的电气和物理特性,确保其在各种电子环境中提供可靠的保护。其主要特性包括:
? 高能量吸收能力:该TVS器件可以吸收高达1500W的瞬态能量,使其适用于高应力瞬态环境。
? 快速响应时间:由于其极快的响应时间(约1.0ps),该器件可以在瞬态事件发生时迅速导通,从而限制电压并保护下游电路。
? 双向配置:SMCJ33ATR-13采用双向设计,适用于交流或对称保护应用,确保在正负瞬态电压下都能提供有效保护。
? 小型封装:采用DO-214AB(SMC)表面贴装封装,节省PCB空间,适合自动化组装流程。
? 宽温度范围:可在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作,适用于工业和汽车等严苛环境。
? 低漏电流:在最大反向工作电压下,漏电流小于10μA,减少对系统功耗的影响。
? 高可靠性:采用耐用的硅雪崩二极管结构,提供长期稳定的电压抑制性能。
SMCJ33ATR-13广泛应用于多种电子系统和设备中,用于提供高效能的瞬态电压保护。主要应用包括:
? 通信设备:如交换机、路由器和基站,保护接口和数据线免受ESD和浪涌影响。
? 工业控制系统:用于PLC、传感器和自动化设备,确保在恶劣工业环境中稳定运行。
? 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑,保护USB、HDMI和其他高速接口。
? 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、CAN总线和ECU模块,满足AEC-Q101汽车级标准。
? 电源管理系统:用于直流电源输入端,防止因电源波动或雷击引起的损坏。
? 医疗设备:保护精密电子设备免受静电放电和瞬态电压干扰,确保设备的可靠性和安全性。
P6KE33CA, SMAJ33A, SMCJ33A