时间：2025/4/25 14:23:57
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MTN3400N3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适合在各种功率转换应用中使用。MTN3400N3广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域，能够提供高效的电流控制和开关性能。
其封装形式通常为TO-220，这种封装有助于提高散热性能，从而确保器件在高功率环境下的可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：5.5mΩ
栅极电荷：79nC
输入电容：1200pF
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-220
1. 超低导通电阻设计，降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，支持高达38A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，适合高频应用。
4. 出色的热稳定性，允许在高温环境下长期运行。
5. 小型化的TO-220封装，便于安装并改善散热性能。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动器中的电流控制元件。
3. DC/DC转换器中的同步整流。
4. 各类负载开关应用。
5. 过流保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率调节模块。
IRFZ44N
STP36NF06
FDP5500
IXYS: IXFK38N06L
